技術(shù)編號(hào)：11409882
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)屬于光伏領(lǐng)域，具體涉及一種薄膜太陽(yáng)能電池半透光組件的結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)目前市面上透光薄膜太陽(yáng)能電池組件大多采用前電極及背電極均為透明導(dǎo)電薄膜氧化物，采用綠激光或紅外激光進(jìn)行橫向或豎向劃刻(即垂直于P1\P2\P3劃線方向)，去除光電轉(zhuǎn)化層來(lái)達(dá)到透光目的。所述P1為第一道劃刻線，P2為第二道劃刻線，P3為第三道劃刻線。傳統(tǒng)透光組件橫向劃刻工藝：初級(jí)清洗-透光導(dǎo)電氧化物-第一次劃刻線-高級(jí)清洗-光電吸收層-第二次劃刻線-透明導(dǎo)電氧化物-第三次劃刻線-第四次劃刻線-后端封裝工藝。傳統(tǒng)的制...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。