技術(shù)編號(hào)：11409928
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)器領(lǐng)域，具體而言，涉及一種磁性納米線器件、其制作方法與磁性納米線的構(gòu)筑方法。背景技術(shù)近年來人們發(fā)展了很多新型信息材料和器件。如閃存、阻變存儲(chǔ)器(RRAM)、磁記錄、磁存儲(chǔ)器(MRAM)等，在這些技術(shù)中，有些利用了電子的電荷屬性，有些利用了電子的自旋屬性。MRAM利用了電子的自旋屬性，其基本結(jié)構(gòu)為自旋閥或磁隧道結(jié)(兩個(gè)鐵磁層用一個(gè)非磁金屬層或絕緣層隔離)，基于磁電阻效應(yīng)工作，其中，一個(gè)鐵磁層的磁化方向固定而另一個(gè)鐵磁層的磁化方向會(huì)隨外磁場(chǎng)而變化，因而器件的電阻會(huì)發(fā)生變化從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。