技術(shù)編號：11432355
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及集成電路可調(diào)試性設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種復(fù)用追蹤緩存的觸發(fā)裝置及設(shè)計方法。背景技術(shù)隨著集成電路設(shè)計復(fù)雜度的增加，可調(diào)試性設(shè)計作為硅后調(diào)試的關(guān)鍵性技術(shù)可加速芯片的調(diào)試，縮短芯片上市時間，增強產(chǎn)品市場競爭力?，F(xiàn)有的硅前驗證技術(shù)無法檢測出原型設(shè)計中的所有錯誤，一些錯誤被遺漏到原型芯片中。如果不能在硅后檢測出所有的遺漏錯誤，而使錯誤出現(xiàn)在上市產(chǎn)品中，則會帶來更大的損失。因此硅后調(diào)試作為量產(chǎn)前的最后一道質(zhì)量控制環(huán)節(jié)，需完全驗證流片后原型芯片的正確性，還需快速定位和修復(fù)檢測出的錯誤。由于原型芯片...
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