技術(shù)編號：11434110
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的各實施例及其實現(xiàn)方式涉及存儲器，尤其是電可擦除可編程(EEPROM)類型的非易失性存儲器，并且更特別地涉及向這些存儲器寫入數(shù)據(jù)的操作。背景技術(shù)在EEPROM存儲器中，存儲于存儲器位置中的比特的邏輯值是用浮置柵極晶體管的閾值電壓的值來表示的，其可以通過寫操作來被任意修改。一個寫操作一般包括擦除步驟及伴隨其后的編程步驟。然而，在某些情況下，寫操作可以只包括擦除步驟或只包括編程步驟。因此，例如，如果待寫入的字僅包含“0”，則只需要擦除步驟。如果需要寫入數(shù)字字的存儲器位置的先前內(nèi)容已經(jīng)僅包含“0...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請勿下載。