技術(shù)編號:11446522
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及適合于半導(dǎo)體集成電路的布線中的阻擋籽晶層的形成的鉭濺射靶,特別是涉及通過適度降低濺射速率(成膜速度),即使在高功率濺射情況下也能夠?qū)崿F(xiàn)良好的膜厚均勻性的鉭濺射靶及其制造方法。背景技術(shù)形成金屬或陶瓷材料等覆膜的濺射法被用于電子領(lǐng)域、耐腐蝕性材料或裝飾領(lǐng)域、催化劑領(lǐng)域、切削/研磨材料或耐磨性材料的制作等很多領(lǐng)域中。濺射法本身在上述領(lǐng)域中是廣為人知的方法,然而最近,特別是在電子領(lǐng)域中要求適合于復(fù)雜形狀的覆膜的形成或電路的形成的鉭濺射靶。一般而言,該鉭靶通過對鉭原料進(jìn)行電子束熔煉、鑄造而得到錠...
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