技術(shù)編號(hào)：11449746
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)用快速退火爐或激光退火爐用晶圓片載具裝置設(shè)計(jì)領(lǐng)域。背景技術(shù)在半導(dǎo)體晶圓制備過程中，器件與外部的連接都需要用具有歐姆接觸的金屬電極完成，因此，在蒸發(fā)金屬后，為了獲得良好的歐姆接觸，必須通過快速退火或激光退火來改善金屬與半導(dǎo)體之間的界面，一般的退火溫度需要達(dá)到金屬與半導(dǎo)體的共融點(diǎn)之上。對(duì)于SiC晶圓一般要在1000℃左右，而快速退火爐或激光退火爐是進(jìn)行金屬電極合金化的核心設(shè)備。目前，Si晶圓退火使用的都是直接將晶圓片放在石英支架上，但是對(duì)于特定型號(hào)的快速退火爐，其石英架尺寸是...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。