技術(shù)編號：11452501
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開內(nèi)容的實(shí)現(xiàn)方式大體上涉及半導(dǎo)體制造工藝與器件的領(lǐng)域，尤其是，涉及用于硅材料在外延膜上外延生長的方法。背景技術(shù)隨著對于下一代器件的電路密度增加，互連件(諸如穿孔、溝槽、接觸件、柵極結(jié)構(gòu)與其他特征)的寬度以及于互連件之間的介電材料減小至22nm或更小的尺寸，但是介電層的厚度保持實(shí)質(zhì)不變，而有特征的深寬比(aspectratio)增加的結(jié)果。近來，互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)FinFET器件已經(jīng)廣泛地用于許多邏輯與其他應(yīng)用中并整合入半導(dǎo)體器件的各式不同類型。FinFET器件通常包括帶有高深...
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