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技術(shù)編號(hào)：11452516

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III-N器件中的凹陷歐姆接觸技術(shù)領(lǐng)域本說明書涉及半導(dǎo)體器件，特別是諸如晶體管和二極管的氮化物基器件，其包括一個(gè)或多個(gè)歐姆接觸。背景技術(shù)功率電子應(yīng)用中的采用的晶體管已經(jīng)代表性地由硅(Si)半導(dǎo)體材料制造。用于功率應(yīng)用的普通晶體管器件包括SiCoolMOS，Si功率MOSFET以及Si絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。雖然Si功率器件廉價(jià)，但是它們有許多缺點(diǎn)，包括相對(duì)低的開關(guān)速度以及高電噪聲水平。新近，已經(jīng)考慮采用碳化硅(SiC)功率器件，因?yàn)樗麄兙哂袃?yōu)越的特性。III族氮化物或III-N半導(dǎo)體器件，...
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