技術(shù)編號：11452833
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。具有背側(cè)應(yīng)變拓撲結(jié)構(gòu)的絕緣體上覆半導(dǎo)體相關(guān)申請的交叉引用本申請要求于2014年11月13日提交的美國專利申請No.14/540,268的優(yōu)先權(quán)，該申請的內(nèi)容通過援引被納入于此。發(fā)明背景絕緣體上覆半導(dǎo)體(SOI)技術(shù)在二十世紀九十年代晚期首次被商業(yè)化。SOI技術(shù)的限定特性在于，其中形成電路系統(tǒng)的半導(dǎo)體區(qū)域藉由電絕緣層來與體基板隔離開。該絕緣層通常是二氧化硅。二氧化硅被選擇的原因在于它可以通過使硅晶片氧化來被形成在硅晶片上并且因此宜于高效制造。SOI技術(shù)的有利方面直接源自于絕緣體層將有源層與體基板電...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。