技術(shù)編號：11452861
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。單片CMOS積體像素偵測器、及包括各種應(yīng)用之粒子偵測和成像的系統(tǒng)與方法交叉參考相關(guān)專利申請本專利申請案請求2014年12月19日提交的美國臨時(shí)申請?zhí)?2/094,188與2015年8月31日提交的美國臨時(shí)申請?zhí)?2/211,958之優(yōu)先權(quán)與權(quán)益，其內(nèi)容以引用之方式并入本文。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明系關(guān)于由單片制成的像素偵測器，用于具有質(zhì)量或無質(zhì)量之高能粒子形式的放射線的該偵測與成像之互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)積體結(jié)構(gòu)，以及形成該些結(jié)構(gòu)的方法。背景技術(shù)目前用于高能粒子偵測之?dāng)?shù)字成像裝置，又被稱為像素偵...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。