技術(shù)編號：11459625
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及一種半導(dǎo)體積體電路，且特別涉及一種鰭式場效晶體管的源極與漏極外延結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)當(dāng)半導(dǎo)體工業(yè)尋求更高裝置密度、更高效能及更低成本，而已進(jìn)展至納米技術(shù)工藝世代，由于制造與設(shè)計問題的挑戰(zhàn)，因而發(fā)展出三維設(shè)計(例如，鰭式場效晶體管(FinFET))并使用具有高介電常數(shù)(high-k)材料的金屬柵極結(jié)構(gòu)。金屬柵極結(jié)構(gòu)時常利用柵極取代技術(shù)來制作，而源極與漏極則利用外延成長方法來形成。再者，一源極/漏極(S/D)接觸窗(條型接觸窗)形成于源極與漏極上方。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)一些實施例，本公開提供...
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