技術(shù)編號(hào)：11460008
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體的說是涉及模擬開關(guān)電路技術(shù)，更具體的說是涉及一種傳輸門電路。背景技術(shù)在電路中涉及到模擬信號(hào)切換的領(lǐng)域，模擬開關(guān)是一種常用的電路。模擬開關(guān)電路可以極大的提高電路設(shè)計(jì)的靈活性。傳統(tǒng)的模擬開關(guān)電路通常由兩個(gè)MOS管組成。其中PMOS的襯底接最高電位VDD，而NMOS的襯底接最低電位VSS。這種結(jié)構(gòu)的模擬開關(guān)電路有很大缺陷：當(dāng)輸入的信號(hào)處于中間電位(VDD/2)時(shí)，由于襯底和源極電壓變大，襯偏效應(yīng)變得很嚴(yán)重。因此會(huì)加大模擬開關(guān)的電阻，此外電阻的平坦度也變得很差。發(fā)明內(nèi)容本...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。