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技術(shù)編號：11477574

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本發(fā)明涉及的是一種射頻LDMOS的薄柵結(jié)構(gòu)及其制備方法，屬于半導(dǎo)體微電子設(shè)計制造技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)在微波技術(shù)領(lǐng)域，射頻LDMOS器件越來越廣泛的應(yīng)用于通訊基站、廣播電視以及現(xiàn)代雷達(dá)系統(tǒng)上。為了不斷提高LDMOS的頻率性能，LDMOS柵的特征尺寸不斷減小，從初始微米級不斷降低到目前的亞微米級，工作頻率從也從1GHz左右提升到目前3.8GHz。從理論上來說，柵的橫向特征尺寸減小，使得器件輸入電容降低，根據(jù)公式fT=gm/2πCiss，輸入電容Ciss越小，則截至頻率fT越高，則器件的頻率性能也就越高...
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