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技術(shù)編號(hào)：11500935

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本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體功率器件，尤其適用于GaN、GaAs、LDMOS等放大器。背景技術(shù)在GaN、GaAs、LDMOS等放大器器件中，要求在滿足源漏擊穿電壓BVdss的前提下，盡可能低降低器件的源漏導(dǎo)通電阻Rds以及柵漏電容Cgd，但是往往會(huì)增加其它的極間電容Cgs和Cds。例如，在射頻LDMOS功率器件中，常采用場(chǎng)板技術(shù)來緩和上述矛盾，如圖1所示，與柵19相鄰的場(chǎng)板21設(shè)置有一肩部，該肩部在漏漂移區(qū)11上向柵19方向延伸，但是延伸的越多（即與柵重疊的越多），雖然可以減少Cgd，但是增加的寄生...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。

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