技術(shù)編號：11504895
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及膠態(tài)晶體領(lǐng)域，具體涉及一種表面修飾的膠態(tài)硅納米晶的制備方法。技術(shù)背景SiNCs(硅納米晶)因具有光譜可調(diào)性和高的光致發(fā)光效率而被人們廣泛應(yīng)用于光電設(shè)備和生物熒光標記等領(lǐng)域。硅作為自然界含量最多的元素之一，無毒性，相對于傳統(tǒng)半導(dǎo)體量子點具有更廣泛的研究前景。其量子結(jié)構(gòu)具有量子限制效應(yīng)，在整個可見光范圍內(nèi)均可獲得穩(wěn)定的光致發(fā)光[Siliconquantumwirearrayfabricationbyelectrochemicalandchemicaldissolutionofwafers,...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。