技術(shù)編號：11518014
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本公開實施例關(guān)于微影工藝，更特別關(guān)于其采用的光致抗蝕劑。背景技術(shù)半導體集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)已快速成長一段時日。IC材料與設(shè)計的技術(shù)進展，使每一代的IC都比前一代的IC更小更復雜。在IC進化的課題中，功能密度(單位芯片面積的內(nèi)連線裝置數(shù)目)增加且?guī)缀纬叽?比如工藝所能形成的最小構(gòu)件或線路)縮小。尺寸縮小的工藝的優(yōu)點在于增加產(chǎn)能并降低相關(guān)成本，不過也會增加IC工藝的復雜性。舉例來說，極紫外光(EUV)微影用以符合較小裝置所需的關(guān)鍵尺寸。EUV微影的曝光機所采用的射線位于EUV區(qū)，其波長介于約1nm至...
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