技術(shù)編號:11521559
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及銀漿料制作技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種異質(zhì)結(jié)晶硅太陽能背銀漿料制作方法。背景技術(shù)摻錫氧化銦材料是一種N型半導(dǎo)體材料,由于它是具有高導(dǎo)電率、高可見光透過率、高機(jī)械硬度和高化學(xué)穩(wěn)定性等,因此是觸摸屏、液晶顯示器、電致發(fā)光器件、等離子顯示器、太陽能電池以及其他電子儀表的透明電極常用的材料。摻錫氧化銦薄膜是指在觸摸屏以及有機(jī)電致發(fā)光的應(yīng)用,通過真空磁控濺射的方式把摻錫氧化銦薄膜超細(xì)粉末沉積在聚酯切片或玻璃上,形成透光率高達(dá)80%以上的均勻?qū)щ娔せ?,其中影響摻錫氧化銦薄膜導(dǎo)電性能的重要因素至一的面積...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。