技術(shù)編號(hào)：11522011
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及二維納米材料制備及其場效應(yīng)晶體管的制備方法，主要是利用范德瓦耳斯力將二種不同的二維晶體組成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，利用該異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)作為導(dǎo)電溝道材料制備場效應(yīng)晶體管，該器件適用于集成電路等領(lǐng)域。背景技術(shù)IC工業(yè)中隨著器件尺寸越來越小，傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體已經(jīng)逐步接近材料本身的物理極限。硅基微電子技術(shù)愈來愈受到短溝道效應(yīng)，量子隧穿效應(yīng)，功率損耗等因素的挑戰(zhàn)，急需找到能夠替代硅的下一代半導(dǎo)體材料。隨著2004年石墨烯的發(fā)現(xiàn)，開始掀起一陣研究二維材料的浪潮。當(dāng)過渡金屬二硫化物(TMDCs)由體材料變?yōu)槎S結(jié)構(gòu)...
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