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技術(shù)編號：11531330

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本發(fā)明涉及一種單晶硅晶圓的熱處理方法。背景技術(shù)現(xiàn)有技術(shù)已知為了賦予單晶硅晶圓吸除能力，進行有快速熱退火(RapidThermalAnnealing,RTA)處理。如此的RTA處理，被廣泛地應(yīng)用于在全平面為具有中性(Neutral：以下亦稱為N)區(qū)域的單晶硅晶圓，所謂該N區(qū)域指較少關(guān)于被稱為晶格空位(vacancy：以下亦標(biāo)記為Va)的晶體缺陷的空孔及被稱做間隙硅(interstitialsilicon：以下亦標(biāo)記為I-Si)的間隙型的晶體缺陷之過多或不足的狀況。更具體而言，該RTA處理應(yīng)用于全平...
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