技術(shù)編號:11540520
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及等離子體化學(xué)氣相生長裝置。背景技術(shù)在等離子體化學(xué)氣相生長裝置(以下,也稱作“PCVD裝置”。)中,通過在設(shè)置于反應(yīng)爐內(nèi)的工件的附近將工藝氣體等離子體化而分解,而在該工件上生成膜。在這樣向工件成膜時,因等離子體化而分解后的工藝氣體中的未附著于工件的工藝氣體的一部分會附著于反應(yīng)爐的內(nèi)壁。若基于工藝氣體的附著物這樣堆積于反應(yīng)爐的內(nèi)壁,則會從附著物向內(nèi)壁施加欲使該內(nèi)壁變形的力。但是,由于反應(yīng)爐的內(nèi)壁的剛度高,因此即使從堆積的附著物施加力,該內(nèi)壁也不會變形。因此,積留于附著物的內(nèi)部的力即內(nèi)部應(yīng)力...
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