技術(shù)編號(hào)：11546764
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，且特別涉及一種具有內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)及其形成方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體裝置使用于各種電子應(yīng)用中，例如個(gè)人電腦、行動(dòng)電話、數(shù)位相機(jī)和其他電子設(shè)備。半導(dǎo)體裝置通常通過(guò)以下方式而制造，包括在半導(dǎo)體基板上依序沉積絕緣或介電層、導(dǎo)電層及半導(dǎo)體層，使用微影工藝圖案化上述各材料層，藉以在其上形成電路組件及元件。許多集成電路通常制造于單一半導(dǎo)體晶片上，且通過(guò)沿著切割線在集成電路之間進(jìn)行切割，以將各個(gè)晶粒單一化。上述各個(gè)晶粒通常分別地封裝于，例如，多芯片模塊中或其他類型的封裝...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。