技術編號：11546917
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明實施例涉及半導體領域，具體涉及鰭式場效應晶體管及其制造方法。背景技術隨著半導體器件的尺寸不斷縮小，已經(jīng)開發(fā)出諸如鰭式場效應晶體管(FinFET)的三維多柵極結構以代替平面互補金屬氧化物半導體(CMOS)器件。FinFET的結構性特征是從襯底的表面垂直延伸的硅基膜，并且包裹環(huán)繞由鰭形成的導電溝道的柵極進一步提供了對溝道的更好的電控制。目前，由于來自不穩(wěn)定的工藝和/或工藝窗口導致的相當大的泄漏電流(Ioff)，F(xiàn)inFET的制造總是有產(chǎn)量損失的問題。因此，由于相當大的泄漏電流(Ioff)，如何...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。