技術(shù)編號(hào)：11553327
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及光電探測(cè)器件，具體地，涉及具有改進(jìn)性能的光電二極管器件及光電二極管探測(cè)器。背景技術(shù)半導(dǎo)體光電二極管陣列通過入射光(例如，直接入射的光線，或者X射線在閃爍體中產(chǎn)生的可見光線)與半導(dǎo)體中原子發(fā)生電離反應(yīng)，從而產(chǎn)生非平衡載流子來檢測(cè)入射光的。衡量光電二極管陣列性能的參數(shù)包括分辨率、信噪比、讀出速度、光響應(yīng)以及像素間電荷串?dāng)_等。需要提供新的結(jié)構(gòu)來改進(jìn)光電二極管器件或光電二極管陣列的至少一部分性能。實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本公開的目的至少部分地在于提供一種具有改進(jìn)性能的光電二極管器件及光電二極管探...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。