技術編號：11561914
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及一種具有立體超結的金屬氧化半導體場效功率組件，尤其涉及一種可增加所述金屬氧化半導體場效功率組件的擊穿電壓和降低所述金屬氧化半導體場效功率組件的導通電阻的金屬氧化半導體場效功率組件。背景技術在現(xiàn)有技術中，當具有超結的金屬氧化半導體場效功率組件(powermetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistordevice)關閉時，所述金屬氧化半導體場效功率組件是利用所述金屬氧化半導體場效功率組件內(nèi)的P型井和N型磊晶層之間的PN接面所形成耗盡區(qū)來承...
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