技術編號：11570845
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及用于處理半導體襯底的半導體襯底處理裝置，并且可以發(fā)現在執(zhí)行薄膜的化學氣相沉積中特別有用。背景技術半導體襯底處理裝置用于通過包括物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、原子層沉積(ALD)、等離子體增強原子層沉積(PEALD)、脈沖沉積層(PDL)、分子層沉積(MLD)、等離子體增強脈沖沉積層(PEPDL)處理、蝕刻和抗蝕劑去除的技術處理半導體襯底。例如，用于處理半導體襯底的一種類型的半導體襯底處理裝置包括含有噴頭模塊的反應室和在反應室中支...
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