技術(shù)編號(hào)：11586626
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝和半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種具有高散熱性能的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)及其制備方法。背景技術(shù)氮化鎵具有禁帶寬度大、直接帶隙、電子漂移速度快、耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，適合制備大功率、高頻率的電子器件和光電器件，比如微波晶體管等。高功率、高頻氮化鎵器件的散熱問(wèn)題是器件可靠性和壽命的關(guān)鍵影響因素，目前解決氮化鎵器件散熱問(wèn)題的方法之一是將氮化鎵與具有高熱導(dǎo)率的金剛石進(jìn)行集成，集成方法主要有：(1)在金剛石上生長(zhǎng)氮化鎵。這種方法是在單晶金剛石上外延生長(zhǎng)所需的氮化鎵層，但單晶金剛石制備困難、尺寸小、價(jià)格...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。