技術(shù)編號(hào)：11586630
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體集成電路，以及更具體地涉及具有通過(guò)雙鑲嵌工藝形成的金屬層的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體業(yè)引入新一代具有高性能和多功能的集成電路(IC)，構(gòu)成集成電路的元件的密度增強(qiáng)，而集成電路的部件或元件之間的大小和間隔減小。金屬布線(xiàn)層的結(jié)構(gòu)也越來(lái)越復(fù)雜且最小化。為了制造金屬布線(xiàn)層，已利用鑲嵌工藝結(jié)合低k(低介電常數(shù)，諸如，3.5或更低)材料。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：第一金屬布線(xiàn)層；層間絕緣層，形成在所述第一金屬布線(xiàn)層上方；第二金屬布線(xiàn)結(jié)構(gòu)，嵌入在所述...
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