技術編號：11586754
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體裝置。背景技術以往，將IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，絕緣柵雙極型晶體管)芯片和具有內(nèi)部寄生二極管的MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管)芯片電連接，從而將IGBT、MOSFET以及二極管并聯(lián)連接(例如，參考專利文獻1)。另外，已知具有IGBT和FWD(FreeWheelingDiode，續(xù)流二極管)的RC-IGBT(逆導型IGBT)(...
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