技術(shù)編號:11592820
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明大致涉及集成電路及半導(dǎo)體裝置領(lǐng)域,尤其涉及電荷泵裝置的形成,尤其是用以對FDSOI(全耗盡絕緣體上硅)晶體管裝置反偏壓(back-biasing)的電荷泵裝置的形成。背景技術(shù)制造例如CPU(中央處理單元)、儲存裝置、ASIC(專用集成電路;applicationspecificintegratedcircuit)等先進(jìn)集成電路需要依據(jù)特定的電路布局在給定的芯片面積上形成大量電路元件。在多種電子電路中,場效應(yīng)晶體管代表一種重要類型的電路元件,其基本確定該集成電路的性能。一般來說,目前實(shí)施多種...
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