技術(shù)編號(hào)：11618196
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明為避免EBSD測(cè)試樣品表面再次拋光的方法，屬于樣品制備領(lǐng)域，適用于各種樣品的EBSD測(cè)試，應(yīng)用于材料的力學(xué)、熱學(xué)以及電學(xué)的研究。該方法可以有效避免樣品的再次拋光，確保實(shí)驗(yàn)結(jié)果和結(jié)論的準(zhǔn)確性。背景技術(shù)在力學(xué)、熱學(xué)以及電學(xué)的測(cè)試環(huán)境中，樣品不僅會(huì)發(fā)生微觀組織的明顯改變，其晶體取向也會(huì)發(fā)生顯著的變化，而且在這一過(guò)程中，樣品的力學(xué)性能也會(huì)隨著微觀組織和晶體取向的改變而發(fā)生改變，同時(shí)，這三者的改變又往往會(huì)導(dǎo)致樣品的損傷等一系列可靠性問(wèn)題。而在這一過(guò)程中需要多次對(duì)樣品進(jìn)行電子背散射衍射(Electro...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。