技術(shù)編號：11621800
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件的制造。更具體地，本發(fā)明涉及表面涂層處理。背景技術(shù)在半導體晶片處理期間，等離子體處理室用于處理半導體器件。涂層被用于保護室表面。發(fā)明內(nèi)容為了實現(xiàn)上述并根據(jù)本發(fā)明的目的，提供了一種用于修整在襯底上的厚度小于150μm的陶瓷層的方法。清潔所述陶瓷層。用脈沖準分子激光束以3-300Hz的重復頻率掃描所述陶瓷層的區(qū)域。在另一實現(xiàn)方式中，提供了一種用于修整在襯底上的厚度小于150μm的陶瓷層的方法，所述陶瓷層包括氟化物、氟氧化物或包含鑭系III族或IV族元素的氧化物中的至少一種。清潔所...
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