技術編號：11621878
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體裝置以及半導體裝置的制造方法。背景技術一般而言存在一種設置熔斷元件的半導體裝置。在該半導體裝置中，包含熔斷元件的區(qū)域被保護膜封蓋。難以從保護膜上貫通保護膜地將熔斷元件切斷。因此，在該半導體裝置中，在熔斷元件上形成有熔斷窗。在圖13所示的以往的半導體裝置100的一個例子中，在熔斷元件114C上形成有矩形狀的熔斷窗120。在金屬層114上作為保護膜層疊有硅氧化膜116以及硅氮化膜118。在圖13所示的狀態(tài)中，因為熔斷元件114C未被切斷，所以電流I從金屬層114A流向金屬層114B。...
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