技術編號：11621879
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體領域，更具體地，涉及半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法。背景技術在集成電路設計中，用于形成金屬線和通孔的常用的方法稱為“鑲嵌”。通常，該方法涉及在介電層中形成開口，該開口將豎直間隔的金屬化層分離。通常使用常見的光刻和蝕刻技術形成開口。在該形成之后，用銅或銅合金填充開口。然后通過化學機械拋光(CMP)去除位于介電層的表面上的過量的銅。剩余的銅或銅合金形成通孔和/或金屬線。與各個器件互連的金屬化層通常包括金屬間介電(IMD)層，互連結(jié)構(gòu)(諸如通孔和導線)通過硅晶圓的表面上的薄膜的沉積、圖案化和蝕...
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