技術編號：11641233
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于納米復合材料制備領域，特別涉及一種CdS納米粒子修飾的石墨烯(GE)/γ-Fe2O3復合光催化劑的制備方法。技術背景半導體光催化是近年來在材料化學及環(huán)境化學交叉領域興起的熱門研究方向。光催化技術可在常溫常壓下將絕大多數有機污染物降解，且無二次污染，已成為前景光明的環(huán)境污染治理方法。光催化技術的核心是光催化材料，傳統(tǒng)的光催化材料為金屬氧化物或者硫化物半導體化合物，這類材料受自身性質限制，光催化性能一般較低。例如，TiO2是應用最為廣泛的光催化劑，但由于其帶隙能大于3.0eV，只在紫外光照...
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