技術編號：11650412
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及一種拋光墊修整器的制造設備。背景技術晶圓制造過程中，化學機械拋光(CMP)是關鍵制程之一，CMP越平坦，能制造的線寬越細。隨晶圓線寬的需求越來越細，對CMP的要求也越高。晶圓CMP工藝是利用多孔拋光墊及拋光液(內(nèi)含研磨粒子)來拋光晶圓，拋光墊的孔洞有助于拋光液的流動，使晶圓拋光得更平坦，但拋光過程中的異物(拋光液中的研磨粒子、晶圓粒子)會逐步填滿拋光墊孔洞，使拋光效能降低，因此拋光過程中需同時使用修整器對拋光墊修整以去除孔洞內(nèi)的異物。過去修整器是由矩陣排列的金剛石通過電鍍法(ele...
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