技術(shù)編號(hào):11656194
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體器件及其制造方法相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用這里通過(guò)參考并入2015年12月9日提交的日本專(zhuān)利申請(qǐng)No.2015-240421的全部公開(kāi)內(nèi)容,包括說(shuō)明書(shū),附圖和摘要。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法,該半導(dǎo)體器件及其制造方法適合在例如使用氮化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體器件中使用。背景技術(shù)最近,使用其帶隙大于硅(Si)的III-V族化合物的半導(dǎo)體器件已引起關(guān)注。其中,從大的電介質(zhì)擊穿場(chǎng)、高的電子飽和速度、高的熱導(dǎo)率、在A(yíng)lGaN和GaN之間形成良好的異質(zhì)結(jié)的能力以及使用無(wú)毒且因此高度安全的材料的觀(guān)點(diǎn)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。