技術(shù)編號(hào):11662748
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及光電子制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種氮化鎵基發(fā)光二極管的外延片。背景技術(shù)LED(LightEmittingDiode,發(fā)光二極管)具有體積小、壽命長(zhǎng)、功耗低等優(yōu)點(diǎn),目前被廣泛應(yīng)用于汽車信號(hào)燈、交通信號(hào)燈、顯示屏以及照明設(shè)備。在發(fā)光二極管的外延片的生長(zhǎng)過(guò)程中,常常會(huì)由于晶格失配而出現(xiàn)應(yīng)力,導(dǎo)致晶體質(zhì)量變差,抗靜電性下降,發(fā)光效率降低。為了提高外延片的抗靜電性和發(fā)光效率,通常會(huì)在生長(zhǎng)有源層之前生長(zhǎng)一層InGaN淺量子阱,以釋放應(yīng)力。但是InGaN淺量子阱只能減小與有源層之間的晶格失配,不能...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。