技術(shù)編號(hào)：11662750
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光二極管芯片。背景技術(shù)GaN基發(fā)光二極管(LightEmittingDiodes，簡(jiǎn)稱LED)作為固態(tài)照明光源，具有節(jié)能、環(huán)保、可靠性高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于照明、信號(hào)顯示、背光源、車燈和大屏幕顯示等領(lǐng)域，是目前研究的熱點(diǎn)?，F(xiàn)有的LED芯片包括襯底、以及依次層疊在襯底上的N型層、發(fā)光層、P型層，P型層上設(shè)有延伸至N型層的凹槽，N型層上設(shè)有N型電極，P型層上設(shè)有P型電極。在實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：GaN的折射率和空...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。