技術(shù)編號：11671860
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及添加劑組合物及包括此的陽性拋光料漿組合物。背景技術(shù)化學(xué)機(jī)械拋光CMP(chemicalmechanicalpolishing)是由存在于被加壓的晶片和拋光襯墊之間拋光劑的機(jī)械性加工，和由料漿的化學(xué)成分的化學(xué)蝕刻，同時發(fā)生的半導(dǎo)體加工技術(shù)中的一個，在制造亞微細(xì)米規(guī)模的半導(dǎo)體芯片中，成為廣域平坦化技術(shù)的必須工程。料漿組合物的種類中的氧化物用料漿組合物，用于拋光層間絕緣膜及用于淺溝槽隔離STI(ShallowTrenchIsolation)工程的硅氧化物層時，將二氧化鈰利用為拋光粒子的二氧化...
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