技術(shù)編號：11679463
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種銦鎵合金作為代汞物在氧化層固定電荷測試中的方法，屬于集成電路、分立器件等制造技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)隨著制造業(yè)給人們帶來舒適、便捷的同時，環(huán)境保護一直是人們倡導(dǎo)綠色生活的前提。在半導(dǎo)體制程中，汞作為電極被應(yīng)用于測試SiO2-Si界面附近的固定電荷環(huán)節(jié)上面。汞對水質(zhì)、土壤極易造成污染，同時在常溫下即可蒸發(fā)形成汞蒸氣，積累在皮膚、呼吸道當(dāng)中，對人的身體健康造成傷害。為此，我們尋求一種可以替代汞作為金屬電極的物質(zhì)，用來檢測SiO2-Si界面附近的固定電荷。在本發(fā)明作出以前，如圖1所示，常用的固...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。