技術(shù)編號：11679698
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本專利屬于半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，具體涉及太陽能電池制造領(lǐng)域，尤其涉及結(jié)合原子層沉積技術(shù)制備納米疊層透明的導(dǎo)電薄膜的制備方法和在太陽能電池表面鈍化及電流收集中的應(yīng)用。背景技術(shù)表面鈍化是降低表面復(fù)合率、提高硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率的重要技術(shù)手段。(SolarEnergyMaterials&SolarCells，2006，(90):82-92)鈍化發(fā)射極背面接觸技術(shù)(PERC技術(shù))，在表面植絨和擴散之后用PECVD的方法鍍?nèi)趸X薄膜做背面鈍化層，搭配氮化硅薄膜減反層。由于三氧化二鋁和氮化硅是絕緣材...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。