技術編號：11686420
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及，特別涉及離子遷移管。背景技術離子遷移譜(IMS)已成為基于分子水平上較成熟的現(xiàn)場痕量檢測技術。離子遷移譜儀中的核心部件為離子遷移管。在遷移管中，樣品分子在電離源的作用下，通過質(zhì)子奪取、電子附著、電子交換等生成相對穩(wěn)定的產(chǎn)物離子可以產(chǎn)生相應的產(chǎn)物離子。產(chǎn)物離子通過離子門的控制在近乎同一時間內(nèi)成批的進入遷移區(qū)進行遷移。這些產(chǎn)物離子在大氣壓環(huán)境的恒定電場中，它們因受電場的加速和中性遷移氣分子的碰撞減速，在宏觀上就表現(xiàn)為獲得了一個恒定的平均速度。由于不同的產(chǎn)物離子其荷質(zhì)比、幾何構型和碰撞截面...
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