技術(shù)編號：11686440
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型屬于半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種用于晶片盒的充抽氣裝置。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中，由于晶片易碎且需避免環(huán)境中的微粒污染，因此在晶片的保存和運輸過程中，通常需將晶片放置于晶片盒中。在半導(dǎo)體制造過程中，會對晶片執(zhí)行各種半導(dǎo)體制造工藝。例如，在晶片上沉積作為電極的金屬之后，通常會對金屬進行刻蝕，以便形成需要的金屬圖案。在刻蝕制程之后會有氯氣(Cl2)隨著晶片卸載進入晶片盒，氯氣與金屬圖案上的金屬(例如，Al)反應(yīng)生成氯化物，對晶片造成了腐蝕，腐蝕嚴重影響晶片上的電路和器件的性能。再例...
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