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技術(shù)編號(hào)：11716346

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本發(fā)明涉及焊接技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)SiC陶瓷及SiC陶瓷增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料由于具有熱膨脹系數(shù)小、比剛度大、熱導(dǎo)率大，熱穩(wěn)定性好等優(yōu)良特性，且熱膨脹系數(shù)(CTE)與Si等半導(dǎo)體芯片匹配好，常作為功率器件中封裝材料。與此同時(shí)，SiC單晶作為半導(dǎo)體界公認(rèn)的具有發(fā)展?jié)摿Φ牡谌雽?dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。目前SiC是研制高頻大功率、耐高溫、抗輻照微電子器件、電路等的理想材料，已成為目前國(guó)際軍事高技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域研發(fā)的重點(diǎn)和競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)之一，因而對(duì)于應(yīng)用于較為苛刻環(huán)境下的SiC器件的封裝提出了新的...
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