技術(shù)編號:11733577
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種氧化硅晶化的方法,尤其是涉及一種熔鹽體系下低溫晶化氧化硅的方法。背景技術(shù)氧化硅是地球上存在最多的材料之一,其存在形式主要有三種:石英(density=2.65g·cm-3,trigonal),磷石英(density=2.27g·cm-3,cellmonoclinic),以及方石英(density=2.32g·cm-3,tetragonal)。在常壓下,石英在1143K穩(wěn)定存在,磷石英的穩(wěn)定范圍在1143-1743K,方石英1743-1973K。氧化硅通常應(yīng)用在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。介孔氧...
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