技術編號：11771653
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。基于CdTe-Ag2Se納米復合物的皮質酮電化學發(fā)光傳感器的制備方法和應用技術領域本發(fā)明涉及基于CdTe-Ag2Se納米復合物的皮質酮電化學發(fā)光傳感器的制備方法和應用。具體涉及碲化鎘量子點CdTeQDs為電化學發(fā)光材料，利用具有高孔隙率、大比表面積、無毒、生物相容性好等優(yōu)點的介孔硒化銀Ag2Se作為載體材料增加發(fā)光材料與抗體的固載量，制備一種檢測皮質酮的無標記型電化學發(fā)光傳感器，屬于納米材料和電化學分析領域。背景技術皮質酮（corticosterone）是人體內由腎上腺皮質分泌的最主要的糖皮質激...
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