技術(shù)編號(hào):11775112
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。增強(qiáng)型自支撐垂直結(jié)構(gòu)Ⅲ族氮化物HEMT器件及AlGaN/GaNHEMT器件技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型涉及一種增強(qiáng)型HEMT器件,特別涉及一種增強(qiáng)型自支撐垂直結(jié)構(gòu)Ⅲ族氮化物(例如AlGaN/GaN)HEMT器件及其制作方法,屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)1993年Khan等人制作出第一支GaN基金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管(HEMT),其水平結(jié)構(gòu)、AlGaN/GaN性能、能耗以及優(yōu)值等均優(yōu)于Si器件。但是依然存在一些問題制約著GaN器件的商業(yè)化進(jìn)程,例如AlGa...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。