技術編號：11776598
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。：本發(fā)明屬于新型半導體制備技術領域；特別是提供了一種利用低成本高溫高壓Ib型單晶金剛石襯底制備高性能金剛石半導體的簡便方法，特點是在低成本的高溫高壓金剛石襯底上通過引入具有自修復功能的氧原子，實現(xiàn)高質量金剛石薄層的外延生長，并通過氫等離子體中的激活修飾，實現(xiàn)高性能金剛石半導體的制備。背景技術：金剛石材料由于具有寬帶隙(5.5eV)、高載流子遷移率(特別是空穴遷移率比單晶Si、GaAs高得多)、高導熱系數(shù)(2200W/mK)、高的Johnson指標和Keyse指標(均高于Si和GaAs十倍以上)等...
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