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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制造方法、驅(qū)動(dòng)電路和顯示裝置。背景技術(shù)目前，雙柵極晶體管與單柵極晶體管相比具有門限電壓(Vth)較大，漏電流較低的特點(diǎn)，會(huì)發(fā)生柵誘導(dǎo)漏極泄漏電流(GIDL，GateInducedDrainLeakage，對(duì)MOSFET的可靠性影響較大)。而一般GOA操作(GOA技術(shù)是將GateDriverIC集成在Array玻璃襯底上，即去除GateDriverIC用TFT布線組成柵極電路形成GOA單元，實(shí)現(xiàn)GateDriverIC的驅(qū)動(dòng)功能。)電壓介于-7.0(...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。

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