技術(shù)編號(hào)：11804176
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其像素單元的制造方法。背景技術(shù)薄膜晶體管（TFT），如In-Ga-Zn-O(IGZO)TFT是一種可廣泛用于各種電子系統(tǒng)的基本電路組成器件，具有多種優(yōu)勢(shì)，比如高電子遷移率、低溫制造工藝、較高穩(wěn)定性、透明等等。然而現(xiàn)有薄膜晶體管制造過(guò)程中因柵極與源漏極的重疊增加，導(dǎo)致柵源寄生電容大，使得薄膜晶體管整體性能差。另外，源極和漏極的接觸過(guò)孔與柵極對(duì)準(zhǔn)要求高，低精度的掩膜版對(duì)焦方式會(huì)導(dǎo)致源漏極接觸過(guò)孔不對(duì)稱(chēng)，甚至發(fā)生斷路/短路，可靠性低。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明實(shí)施例...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。